二十年磨一剑，突破大容量内存

    □ 长江日报记者杨佳峰 通讯员左盈

    选手机、挑电脑，内存与存储的纠结人人都有：容量与速度，似乎总难兼得。华中科技大学集成电路学院教授童浩团队研发的“三维相变存储器”技术，正试图终结这一难题。

    4月30日，刚刚荣获“湖北青年五四奖章”的童浩告诉长江日报记者，该技术旨在模糊内存与外存的界限，打造“存储级内存（SCM）”，最终目标是实现“统一存储”——无需再区分内存与外存，省去数据搬移的烦琐。

    自研究生阶段师从缪向水教授起，童浩已在相变存储器领域深耕二十载。他解释，这项技术的核心是利用材料相态变化存储数据，兼具非易失性（断电不丢数据）、大容量与高性能的优势，完美填补了传统内存（易失、小容量）与外存（慢速）之间的鸿沟。

    面对下一代存储技术的演进，业界通常遵循两条路径：一是延续现有路线，优化容量与带宽；二是通过架构创新，开发兼具大容量与高速度的新一代存储技术。童浩团队的三维相变存储器正是第二条路径的典范。“它被称为‘大容量内存’。”童浩介绍，相比传统闪存，其读写速度和寿命均大幅提升，虽暂未完全取代内存，却已成功解决了容量瓶颈。

    目前，这项“硬核”科技已走出实验室，应用于国内头部互联网企业的数据中心，相关产品实现了对英特尔、美光等国外存储芯片产品的国产替代。

    谈及未来，童浩将目光投向了解决内存易失性的终极痛点。“一旦三维相变存储器实现非易失且性能逼近内存，‘统一存储’时代将真正来临，届时将不再有内存与外存之分。”对于这一天，童浩充满信心。